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1962 - Die Transistoren sind im Kommen

Im Rückblick auf diese Zeit der (technologischen) Ungewissheit fällt so Manches auf. Bei uns landen in den Kartons und Kisten aus vielen Erbschaften die diversen Halbleiter- Kataloge von 1960 bis 1965. Und das war ja genau die Zeit, in der der gewaltige Umschwung von der Röhren-Technik zur Transistor-Technik stattfand.

An diesen Katalogen merken wir, daß sowohl Siemens (wie auch Telefunken) im Jahr 1962 sehr wohl die ganz neuen Silizium Transistoren im Angebot hatten. Beide Firmen taten sich - mit der Hifi-Abteilung im gleichen Haus - mit der Entwicklung neuer Geräte - im Gegensatz zu Philips/Valvo - sehr schwer. Und so fiel dem "Aussenseiter" Max Grundig der enorme Wettbewerbsvorteil wieder mal genau vor die Füße. Seine Ingenieure nutzen dieses deutsche "Vakuum" und entwickelten 1962/1963 den brandneuen volltransistorisierten GRUNDIG SV 50.
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SIEMENS Halbleiter Ausgabe 1962

Damit Sie einen Eindruck bekommen, daß es erstaunlich viele Germanium- und Silizium- Transistoren gab, hier ein kleiner Einblick in diesen 10seitigen Siemens Katalog von 1962.

Beginnen wir mit den verschiedenen Gehäuse- und Bauformen, wobei wir die ganzen Dioden und anderen Halbleiter nur man streifen.
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Die kleinen Transistoren . . .

Hier sind Germanium und Silizium noch gemischt dargestellt.

Siemens Halbleiter 1962 - Bauform 1 bis 6

die Mittleren und die Großen . . .

Da die kleinen Transistoren unscheinbar aussahen, wurden in den Hifi-Prospekten fast immer die dicken großen Leistungstransistoren abgebildet. Und suggeriert wurde, je dicker das Gehäuse, desto leistungsfähiger der Verstärker. Alleine in den Fernsehprospekten von Grundig (Grundigs Revue) wurde so ab 1965 die (kleine) Größe eines Transistors der einer (großen) Röhre optisch gegenübergestellt.

Siemens Halbleiter 1962 - Bauform 7 bis 12

dann kamen die anderen Halbleiter

In der nächsten 3. Reihe der Gehäuse kamen noch 4 Transistoren und das wars erstmal. Es folgten jede Menge an Dioden und andern Halbleiterbauteilen, so zum Beispiel die ersten "Hall"-Generatoren zur Bewegungserkennung von Metallteilen.

Siemens Halbleiter 1962 - Bauform 13 bis 18


Es sind insgesamt 42 Bauform- und Maß-Skizzen mit exakten Millimeterangaben.
Werfen wir mal einen Blick auf die damaligen Typen :
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Germanium-Transistoren pnp - standard-Typen

Typ/Bez. Kollektor-Basis-Spannung -UcboV Kollektor- strom -Ic mA Zul. Verlustl. bei 45°C Ptot mW Zul. Verlustl. bei 45°C Ptot W Strom- verstärkung B Strom- verstärkung Grenz- frequenz fa MHz Bauform
AF114 20 10 50   140(>40)   75*** 3
AF115 20 10 50   140 (> 40)   75*** 3
AF116 20 10 50   140(>40)   75*** 3
AF117 20 10 50   140(>40)   75*** 3
AF124 20 10 37,5   140(>40)   75***  
AF125 20 10 37,5   140(>40)   75*** 4
AF126 20 10 37,5   140(>40)   75***  
AF127 20 10 37,5   140(>40)   75*** 4
                 
TF65 16 50 60   20-150** Farbcode 1 5
TF65/30 32 50 60   20-150** Farbcode 1 5
TF66* 16 300   OJ 30-150 I bis III 1 5
TF66/30* 32 300   0,1 30-150 I bis III 1 5
AC120 20 300   0,6 30-100 IV und V 1,5 6
AC121 20 300   0,6 75-150   1,5 6
AC153 32 500   0,6 50-250 V bis VII 1,5*** 7

Germanium-Leistungs-Transistoren pnp - Standard-Typen

Typ/Bez. Kollektor-Basis-Spannung -UcboV Kollektor- strom -Ic mA Zul. Verlustl. bei 45°C Ptot mW Zul. Verlustl. bei 45°C Ptot W Strom- verstärkung B Strom- verstärkung Grenz- frequenz fa MHz Bauform
TF80/30* 32 3000   6 20 100 III bis V 0,25 9
TF80/60* 64 3000   6 20 -100 III bis V 0,25 9
TF80/80* 80 3000   6 12,5- 60 II bis IV 0,25 9
AD130 32 3000   30 20 -100 III bis V 0,4 11
AD131 64 3000   30 20 -100 III bis V 0,4 11
AD132 80 3000   30 12,5- 60 II bis IV 0,4 11
AD103* 50 15000   22,5 20 100 III bis V 0,2 10
AD104* 65 10000   22,5 12,5- 60 II bis IV 0,2 10
AD133 50 15000   30 20 -100 III bis V 0,3 12
AD136 40 10000   9 20 -100 III bis V 0,3 13


Die weiteren Germanium Transistoren übergehen wir hier, weil es sich um HF Transistoren handelt.
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Silizium-Transistoren npn - Industrie-Typen

Type/Bez. Kollektor-Emitter-spannung Uceo V Kollektor- strom Ic mA Zul. Verlustleistung bei 45°C Ptot mW Strom- verstärkung B Grenzfrequenz fa MHz Bauform Bemerkungen
               
BCY13* 60 200 450 15 0,4 2 BFY12
BCY14* 100 200 450 15 0,4 2 BFY13
BCY15* 60 300 450 15 0,4 2 BFY14
BCY16* 100 300 450 15 0,4 2 BSY18
               
BFY12 40 100 550 >20 200** 14  
BFY13 80 30 550 >20 >150** 14  
BFY14 110 30 550 >20 >80** 14  
BSY18 15 150 235 20 400** 15  

Silizium-Transistoren pnp - Industrie-Typen

Type/Bez. Kollektor-Emitter-spannung Uceo V Kollektor- strom Ic mA Zul. Verlustleistung bei 45°C Ptot mW Strom- verstärkung B Grenzfrequenz fa MHz Bauform Bemerkungen
               
BCY17 30 50 300 20- 50 1,2 16  
BCY18 30 50 300 40100 2,0 16  
BCY19 50 50 300 20 50 0,8 16  
BCY20 100 50 300 10 25 0,5 16  
               
BCY27 30 50 230 15 60 1,0 16  
BCY28 30 50 230 25 80 1,5 16  
BCY29 60 50 230 10 40 0,5 16  

Anmerkung :

Natürlich waren einige dieser Halbleiter noch nicht reif und es gab jede Menge "preliminary data", also Vorschau-Daten. Auch waren die Silizium Halbleiter im Leistungsbereich gerade im Wandel. Der legendäre "2N3055" war noch nicht da. Beachten wir aber, daß dieser Siemens Prospekt in 1961 erstellt wurde und für 1962 "galt". Gleichzeitig wurde in der Funk-Technik und in der Funkschau zeitnah - also monatlich - über die jeweils neueste Entwicklung geschrieben, sogar sehr kompetent geschrieben. Den endlich gab es endlich wieder etwas umwerfend Neues zu berichten.

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