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Die "neuen" MOSFET-Leistungstransistoren um 1980

Anschlußbild 1
Anschlußbild 2
Schaltsymbol und Ersatzschaltbild eines P-Kanal-SIPMOS*
Schaltsymbol und Ersatzschaltbild eines N-Kanal-SIPMOS* - *SIPMOS ist ein eingetragenes Warenzeichen der Siemens AG

"Neu" war vor allem der Werberummel der Verstärker-Hersteller wie zum Beispiel SONY, sie hätten jetzt den Stein der Weisen erfunden.

Der MOSFET (metal oxide semiconductor field-effect transistor) an sich hatte schon eine Menge Vorteile gegenüber den bislang bekannten Transistoren. Der Power-MOSFET war natürlich noch viel viel besser.

Damit konnte man große elektrische Ströme und Spannungen durchleiten und auch sperren, also steuern. Und der MOSFET konnte dazu recht hohe Frequenzen sehr akkurat verstärken. Das war toll, zumal dabei weniger Verlustleistung (als bisher) anfiel.
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Doch keine Vorteile ohne Nachteile ...

......, die natürlich gepflegt verschwiegen wurden - fast genau wie die endliche Lebensdauer der Laser-Dioden der CD-Spieler. - Die fantastische hohe Grenzfrequenz der MOSFETs war nämlich der Fluch dieser Technik.

Die MOSFET Verstärkerstufen mußten ganz akribisch gegen ein (unerwünschtes) Hochfrequenz-Schwingen "designed" bzw. gesichert werden. Also alle Frequenzen oberhalb von 100 Kilohertz sollten diese Verstärkerstufen möglichst NICHT verstärken.

Doch viele vor allem edle Hochleistungs-Verstärker aus ein und derselben Serie und Produktion hielten sich nicht an die Wünsche oder Vorgaben der Entwickler in den Labors und im ganz realen Betrieb, nämlich mit einer induktiven Last hinten dran, begannen sie ein beinahe unsichtbares aber tödliches Eigenleben.

Die Kühlkörper der Endstufen waren auch bei SONY zumeist innen im Gerät und wenn der Kühlkörper schon bei Zimmerlautstärke "zu glühen" anfing, bekam der Musik-Fan das doch gar nicht mit, bis das rote Lämpchen anging.
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Der Verstärker ist schon ein super Gerät mit tollen Eigenschaften, solange er funktioniert. Wenn aber ein und der gleiche Kanal immer wieder "durchknallt", ist auch der geduldigste Besitzer überfordert. So haben wir ihn als irreparabel geschenkt bekommen. Mehr steht auf der SONY Seite.
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Übrigens : Diese Tabellen sind nur etwas für Spezialisten

Es tauchen nämlich immer mehr sehr hochwertige aber nahezu irreparable MOSFET Endstufen auf. Und vielleicht hilft es ja, welche Typpen es damals gab.
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Darum hier mal ein Blick auf die damaligen Power-MOSFETs

MOSFET-Leistungstransistoren - Eine Übersicht der Typen im Gehäuse TO-204 AA (TO-3) :
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Bezeichnung N-Kanal P-Kanal Vds (Volt) Id (Amp.) Pd (Watt) RdS(ON) (Ohm) Anschl. Bild Vergleichs- typ
               
BUZ231 N 1000 4,9 125 2,6 1  
BUZ 230 N 1000 5,5 125 2,0 1  
BUZ 54 N 1000 5,1 125 2,0 1  
BUZ 53 C N 1000 2,3 78 6,0 1  
MTM 1N100 N 1000 1 75 10,0 1  
MTM 3N100 N 1000 3 125 7,0 1  
MTM 5N100 N 1000 5 150 3,0 1  
               
MTM 2 N 90 N 900 2 75 8,0 1  
MTM 4 N 90 N 900 4 125 5,0 1  
MTM 6 N 90 N 900 6 150 3,0 1  
  N            
BUZ 221 N 800 5,5 125 2,0 1  
BUZ 220 N 800 6,5 125 1,5 1  
BUZ 84 A N 800 6,0 125 1,5 1  
BUZ 83 A N 800 3,4 78 3,0 1  
MTP3N80 N 800 3,0 75 7,0 1  
               
MTM2N60 N 600 2,0 75 6.0 1  
MTM3N60 N 600 3,0 75 2,5 1  
MTM6N60 N 600 6,0 150 1,2 1  
MTM 8 N 60 N 600 8,0 150 0,5 1  
               
2 N 6762 N 500 4,5 75 1,5 1 RRF 430
RRF 432 N 500 4,0 75 2,0 1 IRF 432
RRF 420 N 500 2,5 40 3,0 1 IRF 420
IRF 442 N 500 7,0 125 1,1 1  
IRF 440 N 500 8,0 125 0,85 1  
IRF 452 N 500 12,0 150 0,5 1  
IRF 450 N 500 13,0 150 0,4 1  
MTM 2 P 50 P 500 2,0 75 6,0 1  
MTM 7 N 50 N 500 7,0 150 0,8 1  
2N 6770 N 500 12,0 150 0,4 1  
MTM 15N50 N 500 15,0 250 0,4 1  
BUZ 45 B N 500 10,0 125 0,5 1  
               
RRF 320 N 400 3,0 40 1,8 1 IRF 320
RRF 322 N 400 2,5 40 2,5 1 IRF 322
RRF 330 N 400 5,5 75 1,0 1 IRF 330
RRF 332 N 400 4,5 75 1,5 1 IRF 332
IRF 343 N 400 8,0 125 0,8 1  
IRF 340 N 400 10,0 125 0,55 1  
IRF 352 N 400 13,0 150 0,4 1  
IRF 350 N 400 15.0 150 0.3 1  
MTM 3 N 40 N 400 3,0 75 3,3 1  
MTM 4 N 40 N 400 4,0 75 1,8 1  
MTM 5 N 40 N 400 5,0 75 1,0 1  
MTM 8 N 40 N 400 8,0 150 0,55 1  
2N 6768 N 400 14 150 0,3 1  
MTM 15N40 N 400 15 250 0,3 1  
BUZ 64 N 400 11,5 125 0,4 1  
BUZ 63 N 400 5,9 78 1,0 1  
               
IRF 222 N 200 4 40 1,2 1 RRF 222
MTM5N20 N 200 5 75 1,0 1  
MTM5P20 P 200 5 75 1,0 1  
IRF 220 N 200 5 40 0,8 1 RRF 220

Erläuterung der technischen Angaben:

( ) = Vergleich bipolarer Transistor
N = N-Kanal Typ (NPN-Transistor)
P = P-Kanal Typ (PNP-Transistor)
Vds = maximal zulässige Drain-Source-Spannung (UCE)
Id = maximal zulässiger Drain-Gleichstrom (lc)
Pd = maximale Verlustleistung (Ptot)
Rds(on) = Drain-Source-

Die Übersicht II der Typen im Gehäuse TO-204 AA (TO-3)

Bezeichnung N-Kanal P-Kanal Vds (Volt) Id (Amp.) Pd (Watt) RdS(ON) (Ohm) Anschl. Bild Vergleichs- typ
               
MTM 7N20 N 200 7 75 0,7 1  
MTM 8P20 P 200 8 125 0,71 1  
IRF 232 N 200 8 75 0,6 1 RRF 232
IRF 230 N 200 9 75 0,4 1 2N 6758
MTM 8N20 N 200 8 75 0,4 1  
MTM 12N20 N 200 12 100 0,35 1  
IRF 242 N 200 16 125 0,22 1  
IRF 240 N 200 18 125 0,18 1  
MTM 15N20 N 200 15 150 0,16 1  
IRF 252 N 200 25 150 0,12 1  
IRF 250 N 200 30 150 0,085 1 2N 6766
MTM 40N20 N 200 40 250 0,08 1  
               
IRF 9232 P 200 5,5 75 75 1,2 1  
IRF 9230 P 200 6.5 75 75 0.8 1  
IRF 9242 P 200 9,0 125 0,7 1  
IRF 9240 P 200 11,0 125 0,5 1  
               
BUZ36 N 200 22,0 125 0,12 1  
BUZ35 N 200 9,9 78 0,4 1  
BUZ34 N 200 14,0 78 0,2 1  
2SK 176 N 200 8.0 125 1.0 2  
2SJ 56 P 200 8,0 125 1,0 2  
               
2SK 134 N 140 7,0 100 1,0 2  
2SJ 49 P 140 7,0 100 1,0 2  
               
MTM 8N10 N 100 8,0 75 0,5 1  
MTM 8P10 P 100 8,0 75 0,4 1  
IRF 122 N 100 7,0 40 0,4 1 RRF 122
MTM 10N10 N 100 10,0 75 0,33 1  
IRF 120 N 100 8,0 40 0,3 1 RRF 120
MTM 12P10 P 100 12,0 75 0,3 1 IRF 9130
               
IRF 132 N 100 12,0 75 0,25 1 RRF 132
IRF 130 N 100 14,0 75 0,18 1 2N6756/RRF130
MTM 12N10 N 100 12,0 75 0,18 1  
MTM 20N10 N 100 20,0 100 0,15 1  
IRF 142 N 100 24.0 125 0.11    
IRF 140 N 100 27,0 125 0,085 1 RFM 18N10
IRF 152 N 100 33,0 150 0,08 1  
MTM 25N10 N 100 25,0 150 0,07 1  
IRF 150   100 40,0 150 0,055   RFK35N10
2N 6764   100 38,0 150 0,055 1  
MTM 55N10 N 100 5.0 250 0,04 1  
               
IRF 9132 P 100 10 75 0,4 1  
IRF 9142 P 100 15,0 125 0,3 1  
IRF 9140 P 100 19.0 125 0,2 1  
BUZ25 N 100 19,0 78 0,1 1  
BUZ24 N 100 32,0 125 0,06 1  
BUZ23 N 100 10,0 78 0,2 1  
               
MTM 12P05 P 50 12,0 75 0,3 1  
MTM 10N05 N 50 10,0 75 0,28 1  
MTM 12N05 N 50 12,0 75 0,2 1  
MTM 15n05 N 50 15,0 75 0,16 1  
MTM 25N05 N 50 25,0 100 0,08 1  
MTM 35N05 N 50 35,0 150 0,055 1  
MTM 60N05 N 50 60,0 250 0,028 1  
BUZ15 N 50 45,0 125 0,03 1  
BUZ14 N 50 39,0 125 0,04 1  

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Vergleich der Anschlüsse eines FET und des bipolaren Transistors.

FET bipol. Transistor
G (Gate) = B (Basis)
D (Drain) = C (Kollektor)
S (Source) = E (Emitter)

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