1962 - Die Transistoren sind im Kommen
Im Rückblick auf diese Zeit der (technologischen) Ungewissheit fällt so Manches auf. Bei uns landen in den Kartons und Kisten aus vielen Erbschaften die diversen Halbleiter- Kataloge von 1960 bis 1965. Und das war ja genau die Zeit, in der der gewaltige Umschwung von der Röhren-Technik zur Transistor-Technik stattfand.
An diesen Katalogen merken wir, daß sowohl Siemens (wie auch Telefunken) im Jahr 1962 sehr wohl die ganz neuen Silizium Transistoren im Angebot hatten. Beide Firmen taten sich - mit der Hifi-Abteilung im gleichen Haus - mit der Entwicklung neuer Geräte - im Gegensatz zu Philips/Valvo - sehr schwer. Und so fiel dem "Aussenseiter" Max Grundig der enorme Wettbewerbsvorteil wieder mal genau vor die Füße. Seine Ingenieure nutzen dieses deutsche "Vakuum" und entwickelten 1962/1963 den brandneuen volltransistorisierten GRUNDIG SV 50.
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SIEMENS Halbleiter Ausgabe 1962
Damit Sie einen Eindruck bekommen, daß es erstaunlich viele Germanium- und Silizium- Transistoren gab, hier ein kleiner Einblick in diesen 10seitigen Siemens Katalog von 1962.
Beginnen wir mit den verschiedenen Gehäuse- und Bauformen, wobei wir die ganzen Dioden und anderen Halbleiter nur man streifen.
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Die kleinen Transistoren . . .
Hier sind Germanium und Silizium noch gemischt dargestellt.
- Siemens Halbleiter 1962 - Bauform 1 bis 6
die Mittleren und die Großen . . .
Da die kleinen Transistoren unscheinbar aussahen, wurden in den Hifi-Prospekten fast immer die dicken großen Leistungstransistoren abgebildet. Und suggeriert wurde, je dicker das Gehäuse, desto leistungsfähiger der Verstärker. Alleine in den Fernsehprospekten von Grundig (Grundigs Revue) wurde so ab 1965 die (kleine) Größe eines Transistors der einer (großen) Röhre optisch gegenübergestellt.
- Siemens Halbleiter 1962 - Bauform 7 bis 12
dann kamen die anderen Halbleiter
In der nächsten 3. Reihe der Gehäuse kamen noch 4 Transistoren und das wars erstmal. Es folgten jede Menge an Dioden und andern Halbleiterbauteilen, so zum Beispiel die ersten "Hall"-Generatoren zur Bewegungserkennung von Metallteilen.
- Siemens Halbleiter 1962 - Bauform 13 bis 18
Es sind insgesamt 42 Bauform- und Maß-Skizzen mit exakten Millimeterangaben.
Werfen wir mal einen Blick auf die damaligen Typen :
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Germanium-Transistoren pnp - standard-Typen
| Typ/Bez. | Kollektor-Basis-Spannung -UcboV | Kollektor- strom -Ic mA | Zul. Verlustl. bei 45°C Ptot mW | Zul. Verlustl. bei 45°C Ptot W | Strom- verstärkung B | Strom- verstärkung | Grenz- frequenz fa MHz | Bauform |
| AF114 | 20 | 10 | 50 | 140(>40) | 75*** | 3 | ||
| AF115 | 20 | 10 | 50 | 140 (> 40) | 75*** | 3 | ||
| AF116 | 20 | 10 | 50 | 140(>40) | 75*** | 3 | ||
| AF117 | 20 | 10 | 50 | 140(>40) | 75*** | 3 | ||
| AF124 | 20 | 10 | 37,5 | 140(>40) | 75*** | |||
| AF125 | 20 | 10 | 37,5 | 140(>40) | 75*** | 4 | ||
| AF126 | 20 | 10 | 37,5 | 140(>40) | 75*** | |||
| AF127 | 20 | 10 | 37,5 | 140(>40) | 75*** | 4 | ||
| TF65 | 16 | 50 | 60 | 20-150** | Farbcode | 1 | 5 | |
| TF65/30 | 32 | 50 | 60 | 20-150** | Farbcode | 1 | 5 | |
| TF66* | 16 | 300 | OJ | 30-150 | I bis III | 1 | 5 | |
| TF66/30* | 32 | 300 | 0,1 | 30-150 | I bis III | 1 | 5 | |
| AC120 | 20 | 300 | 0,6 | 30-100 | IV und V | 1,5 | 6 | |
| AC121 | 20 | 300 | 0,6 | 75-150 | 1,5 | 6 | ||
| AC153 | 32 | 500 | 0,6 | 50-250 | V bis VII | 1,5*** | 7 |
Germanium-Leistungs-Transistoren pnp - Standard-Typen
| Typ/Bez. | Kollektor-Basis-Spannung -UcboV | Kollektor- strom -Ic mA | Zul. Verlustl. bei 45°C Ptot mW | Zul. Verlustl. bei 45°C Ptot W | Strom- verstärkung B | Strom- verstärkung | Grenz- frequenz fa MHz | Bauform |
| TF80/30* | 32 | 3000 | 6 | 20 100 | III bis V | 0,25 | 9 | |
| TF80/60* | 64 | 3000 | 6 | 20 -100 | III bis V | 0,25 | 9 | |
| TF80/80* | 80 | 3000 | 6 | 12,5- 60 | II bis IV | 0,25 | 9 | |
| AD130 | 32 | 3000 | 30 | 20 -100 | III bis V | 0,4 | 11 | |
| AD131 | 64 | 3000 | 30 | 20 -100 | III bis V | 0,4 | 11 | |
| AD132 | 80 | 3000 | 30 | 12,5- 60 | II bis IV | 0,4 | 11 | |
| AD103* | 50 | 15000 | 22,5 | 20 100 | III bis V | 0,2 | 10 | |
| AD104* | 65 | 10000 | 22,5 | 12,5- 60 | II bis IV | 0,2 | 10 | |
| AD133 | 50 | 15000 | 30 | 20 -100 | III bis V | 0,3 | 12 | |
| AD136 | 40 | 10000 | 9 | 20 -100 | III bis V | 0,3 | 13 |
Die weiteren Germanium Transistoren übergehen wir hier, weil es sich um HF Transistoren handelt.
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Silizium-Transistoren npn - Industrie-Typen
| Type/Bez. | Kollektor-Emitter-spannung Uceo V | Kollektor- strom Ic mA | Zul. Verlustleistung bei 45°C Ptot mW | Strom- verstärkung B | Grenzfrequenz fa MHz | Bauform | Bemerkungen |
| BCY13* | 60 | 200 | 450 | 15 | 0,4 | 2 | BFY12 |
| BCY14* | 100 | 200 | 450 | 15 | 0,4 | 2 | BFY13 |
| BCY15* | 60 | 300 | 450 | 15 | 0,4 | 2 | BFY14 |
| BCY16* | 100 | 300 | 450 | 15 | 0,4 | 2 | BSY18 |
| BFY12 | 40 | 100 | 550 | >20 | 200** | 14 | |
| BFY13 | 80 | 30 | 550 | >20 | >150** | 14 | |
| BFY14 | 110 | 30 | 550 | >20 | >80** | 14 | |
| BSY18 | 15 | 150 | 235 | 20 | 400** | 15 |
Silizium-Transistoren pnp - Industrie-Typen
| Type/Bez. | Kollektor-Emitter-spannung Uceo V | Kollektor- strom Ic mA | Zul. Verlustleistung bei 45°C Ptot mW | Strom- verstärkung B | Grenzfrequenz fa MHz | Bauform | Bemerkungen |
| BCY17 | 30 | 50 | 300 | 20- 50 | 1,2 | 16 | |
| BCY18 | 30 | 50 | 300 | 40100 | 2,0 | 16 | |
| BCY19 | 50 | 50 | 300 | 20 50 | 0,8 | 16 | |
| BCY20 | 100 | 50 | 300 | 10 25 | 0,5 | 16 | |
| BCY27 | 30 | 50 | 230 | 15 60 | 1,0 | 16 | |
| BCY28 | 30 | 50 | 230 | 25 80 | 1,5 | 16 | |
| BCY29 | 60 | 50 | 230 | 10 40 | 0,5 | 16 |
Anmerkung :
Natürlich waren einige dieser Halbleiter noch nicht reif und es gab jede Menge "preliminary data", also Vorschau-Daten. Auch waren die Silizium Halbleiter im Leistungsbereich gerade im Wandel. Der legendäre "2N3055" war noch nicht da. Beachten wir aber, daß dieser Siemens Prospekt in 1961 erstellt wurde und für 1962 "galt". Gleichzeitig wurde in der Funk-Technik und in der Funkschau zeitnah - also monatlich - über die jeweils neueste Entwicklung geschrieben, sogar sehr kompetent geschrieben. Den endlich gab es endlich wieder etwas umwerfend Neues zu berichten.
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